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產品性能:
◆特點:結構緊湊占地面積小,模塊化組合靈活方便
◆工藝:氧化、擴散、退火、LPCVD、PECVD等
◆2~12寸晶圓工藝,5~25片/批
◆占地面積小,水平1~4管/臺
◆200~1300℃,1400℃/2200℃(高溫)
◆手動及自動進舟,局部凈化
配套工藝:
◆擴散:氣態/液態/固態源磷硼擴散
◆氧化:干氧/濕氧(DCE, HCL)(H20/氫氧合成)
◆氮/氫退火及快速退火,燒結、合金等
◆LPCVD:多晶硅,氮化硅、氧化硅(PSG\BPSG,TEOS,LTO\HTO)、SIPOS
◆PECVD:氮化硅、氧化硅等
◆特殊工藝:鋁、鎵擴散,LP POCl3擴散等。
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