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氧化爐,擴(kuò)散爐,LPCVD設(shè)備廠家LOGO

產(chǎn)品&服務(wù)
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氧化退火LPCVD爐

產(chǎn)品性能:

 ◆4~8寸晶圓工藝,1~4/5管

 ◆恒溫區(qū):800/1000/1250mm

 ◆溫度:200~1150℃

 ◆高精度可靠的自動壓力控制系統(tǒng)

 ◆自動機(jī)械手進(jìn)出舟,懸臂/軟著陸

 ◆晶圓自動倒片,完整的工廠MES系統(tǒng)對接,符合SECSⅡ/HSMS/GEM等標(biāo)準(zhǔn)

  配套工藝:

 ◆干濕氧化、擴(kuò)散、退火、合金激活,LP-POCl3擴(kuò)散,鎵鋁擴(kuò)散等

 ◆LP多晶硅P-Si,氮化硅Si3N4,氧化硅SiO2

 ◆LP磷硅玻璃PSG,硼磷硅玻璃BPSG

 ◆LP TEOS,LTO,HTO,SIPOS...

 ◆PE 氮化硅、氧化硅等。


◆氧化退火爐技術(shù)參數(shù)

 干/濕氧氧化工藝

  工藝溫度范圍:750-1250℃(碳化硅管)

 ◆溫度均勻性≤±0.5℃@1250℃

 ◆溫度穩(wěn)定性≤±0.5℃/4h(800℃);

 ◆干氧厚度均勻性(1000A)WIW ≤±2%,WTW ≤±2%,RTR ≤±2%;

 ◆氫氧合成厚度均勻性(1000A)WIW ≤±2%,WTW ≤±2%,RTR ≤±2%;

 ◆高溫退火:極限真空:<50Pa


◆LPCVD部分性能


(1)最高工作溫度≥1150℃,溫度均勻性≤±0.5℃@1150℃;

(2)溫度穩(wěn)定性≤±0.5℃/4h(600℃);

 

◆TEOS工藝參數(shù)

(1)TEOS均勻性:WIW ≤2% ,WTW ≤2%,RTR ≤2%;

(2)傳送顆粒污染≤30EA(≥0.3μm),工藝顆粒污染≤80EA(≥0.3μm),金屬離子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤ 1E11 atoms/cm2;

 

◆Poly工藝參數(shù)

(1)Poly厚度均勻性:WIW ≤±2% ,WTW ≤±2%,RTR ≤±2%;

(2)傳送顆粒污染≤30EA(≥0.3μm),工藝顆粒污染≤60EA(≥0.3μm),金屬離子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤ 1E11 atoms/cm2;

(3)D-Poly 50片/管,厚度均勻性:WIW ≤±5% ,WTW ≤±5%,RTR ≤±5%;

 

◆LPCVD-Si3N4工藝參數(shù)

(1)LPCVD-Si3N4厚度均勻性(片內(nèi)、片間、批次間)≤2%

(2)傳送顆粒污染≤30EA(≥0.3μm),工藝顆粒污染≤60EA(≥0.3μm);金屬離子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2;

(3)低應(yīng)力 ≤500MPa  5片/管;低應(yīng)力SiNx均勻性:WIW ≤±4% ,WTW ≤±3%,RTR ≤±3%;

 

◆LPCVD-BPSG工藝指標(biāo)

(1)厚度均勻性:WIW ≤±5% ,WTW ≤±5%,RTR ≤±5%;

(2)傳送顆粒污染≤30EA(≥0.3μm),工藝顆粒污染≤80EA(≥0.3μm),金屬離子污染Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu ≤1E11 atoms/cm2;


溫度控制要求:

(1)溫度控制方式:三段內(nèi)外TC雙回路溫度控制,自動拉溫區(qū);

(2)熱偶:每管配置profile熱偶≥ 1個;spike熱偶≥4個(含報警熱偶)

(3)溫度控制范圍:600℃~900℃;

(4)恒溫區(qū)長度≥800mm;

(5)單點(diǎn)控溫精度:≤±1℃(600℃);


工藝氣路要求:

(1)TEOS管:包含但不限于N2 ,O2,吹掃N2 ,TEOS;

(2)Poly管:包含但不限于N2 , SiH4,  PH3;

(3)Si3N4管:包含但不限于N2,NH3,SiH2Cl2;

(4)BPSG管:包含但不限于N2,O2,吹掃N2,B源,P源;

(5)氣路系統(tǒng)氣密性:1×10-7pa.m3/s,氣體管道為EP級;

(6)MFC控制精度:MFC精度≤±0.25% FS @ flow range 2%-25%≤±1% SP @ flow range 25%-100%;


壓力控制要求:

(1)壓力控制精度:≤±2 mtorr;

(2)極限真空:≤7.5mtorr;

(3)工藝腔漏率:≤5mtorr/min;


傳動裝置要求:

(1)傳動裝置采用懸臂槳方式,懸臂槳為帶涂層SiC材質(zhì),承重≥16kg;

(2)前、后限位開關(guān)、極限位開關(guān)保護(hù);

(3)伺服電機(jī)控制進(jìn)退,進(jìn)、出舟速率20-800mm/min,推舟的定位精度≤±1mm;

(4)配置1套導(dǎo)片裝置;


傳動裝置要求

(1)傳動裝置采用懸臂槳方式,懸臂槳為帶涂層SiC材質(zhì),承重≥16kg;

(2)前、后限位開關(guān)、極限位開關(guān)保護(hù);

(3)伺服電機(jī)控制進(jìn)退,保證送料裝置平穩(wěn)運(yùn)行,進(jìn)、出舟速率:20-800mm/min,推舟的定位精度:≤±1mm;

(4)配置1套導(dǎo)片裝置;

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