4008-110044
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專業半導體裝備制造
產品性能：
◆垂直結構，高效產能，150片/批
◆穩定優良的成膜均勻性，重復性好
◆微環境低氧控制先進技術
◆硅片顆粒度控制穩定，國際標準
◆全自動流程，盒對盒，21盒存儲
◆高集成度，完整的工廠MES系統對接
◆符合SECSⅡ/HSMS/GEM等標準
技術指標：
◆8英寸硅片，厚度200μm~1200μm；
◆沉積薄膜種類：Poly Si（多晶硅）、SiO2（TEOS）、Si3N4(氮化硅)；
◆溫度范圍300℃~1200℃，典型工作溫度范圍400℃~900℃；
◆400℃~900℃范圍內，溫度穩定性≤±0.5℃；
◆連續工作時間≥72小時；
◆極限真空度：≤1Pa；
◆薄膜一致性：
Poly Si：片內≤±2%，片間≤±2%，批間≤±2%；
SiO2： 片內≤±2%，片間≤±2%，批間≤±2%；
Si3N4： 片內≤±2%，片間≤±2%，批間≤±2%；
◆Poly Si薄膜生長應力指標：Poly Si：＜500Mpa（200nm）；
◆SiO2薄膜生長應力指標：SiO2（TEOS）：＜500Mpa（200nm）；
◆Si3N4薄膜生長應力指標：Si3N4：＜200Mpa（200nm）；
◆工藝爐管、保溫桶、內襯均熱管及石英舟均采用GE214石英材質；
◆爐壓泄露速率：≤1.0Pa/min。
配套工藝：
◆氧化：干氧/濕氧（DCE, HCL）
◆氮、氫退火（快速熱退火），燒結、合金，固化等
◆LPCVD工藝：多晶硅，氮化硅，氧化硅（PSG、BPSG等），TEOS,LTO/HTO,SIPOS等。
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